发明名称 存储器阵列
摘要 本发明提供了一种存储器阵列,包括:若干个存储单元、若干条相互平行的位线、若干条与所述位线相互垂直且绝缘的字线、以及若干个接触孔;其中,所述若干个存储单元呈阵列设置,所述位线通过所述接触孔连接所述存储单元;每隔两列存储单元设置有一列虚拟单元,所述虚拟单元不与所述位线连接。在本发明提供的存储器阵列中,每隔两列存储单元设置一列虚拟单元,所述位线与所述虚拟单元不连接,由此可见,所述虚拟列切断漏电的途径,因此,所述存储器阵列中只需要一个源极跟随器就能避免存储单元漏电,存储器阵列进行读取操作时只需读取一个源极跟随器,从而降低了存储器阵列的功耗。
申请公布号 CN103456358A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201310386336.1 申请日期 2013.08.29
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 顾靖
分类号 G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种存储器阵列,其特征在于,包括:若干个存储单元、若干条相互平行的位线、若干条与所述位线相互垂直且绝缘的字线、以及若干个接触孔;其中,所述若干个存储单元呈阵列设置,所述位线通过所述接触孔连接所述存储单元;每两列存储单元设置间有一列虚拟单元,所述虚拟单元不与所述位线连接。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号