发明名称 |
一种镍硅合金铸锭的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种镍硅合金铸锭的制备方法,包括以下步骤:一、将镍条和硅粉混合均匀后用镍箔包制成合金包,然后压制成熔炼电极;二、进行第一次真空自耗电弧熔炼,得到第一锭坯;三、计算出第一锭坯中硅的质量百分含量;四、计算出需添加硅的理论质量mSi;五、在第一锭坯上钻设盲孔,将质量为1.5mSi~1.6mSi的硅粉加入盲孔中,然后进行第二次真空自耗电弧熔炼,得到第二锭坯;六、进行第三次真空自耗电弧熔炼,得到要求的镍硅合金铸锭。本发明生产成本低,生产工艺简单,可重复性强,成品率高,适于工业化大规模生产;采用本发明制备的镍硅合金铸锭中硅含量准确可控,分布均匀性好,致密程度高。 |
申请公布号 |
CN103451458A |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201310467928.6 |
申请日期 |
2013.09.29 |
申请人 |
西安瑞福莱钨钼有限公司 |
发明人 |
刘洋;侯军涛;郭磊 |
分类号 |
C22C1/02(2006.01)I;C22C19/03(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/02(2006.01)I |
代理机构 |
西安创知专利事务所 61213 |
代理人 |
谭文琰 |
主权项 |
1.一种镍硅合金铸锭的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、根据所需制备的镍硅合金铸锭的设计成分称取镍条、硅粉和镍箔,将镍条和硅粉混合均匀后用镍箔进行包覆,制成合金包,然后利用油压机对合金包进行压制,得到熔炼电极;步骤二、将步骤一中所述熔炼电极置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10<sup>-2</sup>Pa的条件下进行第一次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到第一锭坯;所述第一次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A;步骤三、采用排水法测得步骤二中所述第一锭坯的密度ρ<sub>NiSi-1</sub>,然后根据公式<img file="FDA0000390493220000011.GIF" wi="424" he="167" />计算出第一锭坯中硅的质量百分含量x,其中,ρ<sub>Ni</sub>为镍的密度,ρ<sub>Si</sub>为硅的密度,ρ<sub>Ni</sub>、ρ<sub>Si</sub>和ρ<sub>NiSi-1</sub>的单位均为g/cm<sup>3</sup>;步骤四、根据公式<img file="FDA0000390493220000012.GIF" wi="458" he="158" />计算出需添加硅的理论质量m<sub>Si</sub>,其中,y为需制备的镍硅合金铸锭中硅的质量百分含量,m<sub>NiSi-1</sub>为第一锭坯的质量,m<sub>Si</sub>和m<sub>NiSi-1</sub>的单位均为g;步骤五、在第一锭坯上钻设盲孔,将质量为1.5m<sub>Si</sub>~1.6m<sub>Si</sub>的硅粉加入盲孔中,然后将加有硅粉的第一锭坯置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10<sup>-2</sup>Pa的条件下进行第二次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到第二锭坯;所述第二次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A;步骤六、将步骤五中所述第二锭坯置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10<sup>-2</sup>Pa的条件下进行第三次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到镍硅合金铸锭;所述镍硅合金铸锭中硅的质量百分含量y为4%~15%,余量为镍;所述第三次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A。 |
地址 |
710201 陕西省西安市经济技术开发区泾渭工业园西金路西段15号 |