在半导体基底上同时生长单晶和多晶的方法

摘要

本发明公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多晶硅生长区域内生长多晶硅。本发明的外延生长工艺中，通过使生长温度设置在较低值，能降低多晶硅的表面的粗糙度；以及通过调整外延生长工艺中的压强，能使多晶硅和单晶硅的外延生长速率相同，从而能使外延生长后硅基底表面平整，提高硅基底的表面平整度。

主权项

一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域，所述单晶硅生长区域内的所述多晶硅籽晶层和所述二氧化硅掩蔽层都被去除，所述单晶硅生长区域外的所述多晶硅籽晶层和所述二氧化硅掩蔽层保留并作为多晶硅生长区域；步骤三、采用外延生长工艺在所述单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在所述多晶硅生长区域内生长多晶硅；所述外延生长工艺的温度设置在850℃～900℃，使所述多晶硅表面的粗糙度减少；调整所述外延生长工艺的压强，使所述单晶硅的生长速率等于所述多晶硅的生长速率。