发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供了一种制造例如发光二极管的半导体器件的方法（100）。所述方法（100）包括提供半导体晶片，以及在半导体晶片之上提供保护层。优选所述保护层包括铟锡氧化物。在所述晶片上执行多个加工步骤，设置所述保护层以在所述多个加工步骤中保护所述晶片。所述加工步骤可以包括：在保护层之上形成掩模层（115），所述掩模层用于蚀刻透所述保护层并蚀刻进入所述半导体晶片、去除所述掩模层、或蚀刻提供在选择性蚀刻的半导体晶片之上的填充材料（150）。

主权项

一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：（i）提供包括多个层的半导体晶片，所述多个层包括发光层；（ii）在所述半导体晶片之上提供保护层；（iii）在所述半导体晶片上执行加工步骤以形成发光二极管；其中，设置所述保护层以在至少一个加工步骤中保护所述半导体晶片。