发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及太阳能电池及其制造方法,所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量%~10重量%的HF、约30重量%~60重量%的HNO3和至多为约30重量%的乙酸。 | ||
申请公布号 | CN102113131B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
申请号 | CN200980129536.0 | 申请日期 | 2009.06.19 |
申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 郑柱和;安俊勇;郑智元;朴铉定;李圣恩 |
分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
主权项 | 一种用于制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在基板的表面上利用干式蚀刻不均匀地形成锯齿状部分,其中,所述锯齿状部分的倾度大于54.76°且小于90°并且具有由所述锯齿状部分的形成所导致的损坏区域;在形成所述锯齿状部分之后使用酸蚀刻剂对所述基板的所述表面进行湿式蚀刻以除去所述损坏区域;在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体;形成与所述第一型半导体接触的第一电极;和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。 | ||
地址 | 韩国首尔 |