| 发明名称 | 半导体器件中的金属塞结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件中的金属塞结构，包括：多个位于硅片中的金属塞，相邻两个金属塞之间被硅片隔断，所述多个金属塞形成长条形结构，该长条形的长度大于等于宽度的20倍。本发明能够释放金属塞与衬底之间的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN102412229B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201110355617.1 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 肖胜安 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种半导体器件中的金属塞结构，包括：多个位于硅片中的金属塞，相邻两个金属塞之间被硅片隔断，所述多个金属塞形成长条形结构，该长条形结构的长度大于等于宽度的20倍；其特征在于：所述金属塞结构由长度不等的多个长条形金属塞，等间距间隔设置成一列，所述金属塞结构穿过该半导体器件的P‑型外延层和P型阱，将P+型衬底和N+源漏区连接在一起，相邻的两个金属塞的间距大于0.1微米小于5微米；所述长度不等的长条形金属塞中，长度最大的不大于20微米。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||