| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括具有顶面的衬底。半导体电路在衬底的顶面上定义了电路区域。互连与所述电路区域间隔开且从顶面延伸到衬底中。所述互连包括由电绝缘材料所形成的侧壁。在所述侧壁中提供开口。 | ||
| 申请公布号 | CN103456714A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201310208648.3 | 申请日期 | 2013.05.30 |
| 申请人 | 英特尔移动通信有限责任公司 | 发明人 | H-J.巴特 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 谢攀;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，其具有顶面；半导体电路，其在衬底的顶面上定义了电路区域；以及互连，与所述电路区域间隔开且从顶面延伸到衬底中，所述互连包括由第一电绝缘材料所形成的第一侧壁；其中在所述第一侧壁内形成开口。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝格 | ||