发明名称 低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法
摘要 本发明涉及低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法,特别适用于运行在低轨空间环境中的高压太阳电池阵。该发明采用太阳电池电路裸露导体涂覆RTV硅胶或预埋在基板内,隔离导体与等离子体的接触;优化设计电池电路串间距离;减小单串电路的电流并加隔离二极管进行隔离;玻璃盖片完全覆盖太阳电池以阻断带电部位与等离子体的接触;采用地面模拟低轨等离子体环境放电试验进行验证。本发明解决了高压太阳电池阵在低轨等离子体环境中弧光放电抑制问题,提高了高压太阳电池阵在低轨等离子体环境中的一次放电和二次弧光放电阈值,提高了在低轨等离子体环境中的适应性。
申请公布号 CN103456831A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201210177257.5 申请日期 2012.06.01
申请人 上海宇航系统工程研究所 发明人 杨华星;王治易;陈建祥;路火平;董毅;蒋松
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海航天局专利中心 31107 代理人 金家山
主权项 一种适用于低轨等离子体环境高压太阳电池阵弧光放电抑制方法,其特征在于:采用太阳电池电路裸露导体涂覆RTV硅胶的方法,或将电路预埋在基板内,隔离导体与等离子体的接触,提高放电阈值,减少弧光放电的发生;优化布片设计,使电池电路最大串间电压小于55V,小于二次弧光放电阈值;优化电池电路串间距离设计,提高二次弧光放电阈值,设计串间距离2mm;单串电池模块电路输出电流小于0.8A并加隔离二极管进行隔离,以此减小二次弧光放电的维持电流,提高二次弧光放电的电压阈值;满足玻璃盖片边缘超过电池边缘0.1mm,完全覆盖太阳电池,阻断电池与等离子体的接触,减少弧光放电的发生;采用真空罐模拟低轨真空环境,采用ECR型等离子体源产生等离子体,模拟低轨等离子体环境,将太阳电池阵小试件放在真空罐中,进行一次弧光放电和二次弧光放电模拟试验,得到高压太阳电池阵一次弧光放电和二次弧光放电电压电流阈值,完成高压太阳电池阵低轨等离子体环境放电的验证。
地址 201108 上海市闵行区金都路3805号