发明名称 半导体封装结构及其制造方法
摘要 本发明是关于一种半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构具有一半导体元件,其包括一本体、数个导电通道及至少一填充物。该等导电通道贯穿该本体。该填充物是位于该本体内,其中该填充物的热膨胀系数与该本体和该等导电通道的热膨胀系数不同。藉此,可调整该半导体元件整体的热膨胀系数,减少翘曲。
申请公布号 CN103456707A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201310400335.8 申请日期 2013.09.05
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 高金利;李长祺;赖逸少
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种半导体元件,包括:一本体;数个导电通道,贯穿该本体;至少一容纳空间,贯穿该本体;及至少一填充物,位于该容纳空间内,其中该填充物的热膨胀系数与该本体和所述导电通道的热膨胀系数不同。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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