用于沉积斜面保护膜的方法

摘要

一种以保护等离子体室中的晶片的斜面边缘的使用局部的等离子体沉积膜的方法。该方法包括调节可移动电极和固定电极之间的电极间隙，所述晶片被设置在可移动电极和固定电极中的一个上，该间隙距离配置为防止在晶片的中心部分上面形成等离子体，该间隙距离尺寸还设置成使得在调节后形成晶片斜面边缘的周围的等离子体可持续的条件。该方法还包括使沉积气体流入等离子体室。该方法包括使用加热器维持卡盘温度，该卡盘温度被配置成促进斜面边缘上的膜沉积。该方法进一步包括从沉积气体产生局部的等离子体用于在斜面边缘上膜的沉积。

主权项

一种保护等离子体室内的晶片的斜面边缘的使用局部的等离子体沉积膜的方法，其包括：调节可移动电极和固定电极之间的电极间隙，以达到被配置为防止在所述晶片的中心部分上面形成等离子体的间隙距离，所述晶片被设置在所述可移动电极和所述固定电极中的一个上，所述间隙距离还设置成使得在所述调节后形成所述晶片的所述斜面边缘的周围的等离子体可持续的条件；使沉积气体流入所述等离子体室；使用加热器保持卡盘温度，该卡盘温度被配置成促进所述斜面边缘上的膜沉积；以及从所述沉积气体产生所述局部的等离子体以用于在所述斜面边缘上沉积膜。