| 发明名称 | 曝光的方法 | ||
| 摘要 | 一种曝光的方法，包括：提供待图形化基片；对待图形化基片进行第一次曝光；对经过第一次曝光后的待图形化基片进行再曝光，所述再曝光具体操作为同时对掩膜版和基片转动同样的角度，然后进行曝光。本发明采用转换角度进行多次曝光的方式来消除EUV技术中的阴影效应，减小曝光中出现的图形的偏差，增加曝光精度。 | ||
| 申请公布号 | CN103454860A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201210174126.1 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘畅;王新鹏 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/22(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种曝光的方法，其特征在于，包括：提供待图形化基片；通过掩膜版对待图形化基片进行第一次曝光；对经过第一次曝光后的待图形化基片进行再曝光，所述再曝光包括：对所述掩膜版和待图形化基片转动同样的角度，然后进行曝光。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||