半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤： 在衬底上形成钼膜； 在所述钼膜上形成氧化钼膜； 在所述氧化钼膜上形成非金属无机膜； 在所述非金属无机膜上形成所述半导体装置的支撑构件； 在所述支撑构件上形成第一电极； 在所述第一电极上形成发光层； 在所述发光层上形成第二电极； 在所述第二电极上贴合挠性衬底；以及 从所述衬底剥离包括所述非金属无机膜、所述支撑构件、所述第一电极、所述发光层、所述第二电极和所述挠性衬底的叠层体。