在切割胶带上施加有底部填料膜的预切割的晶片

摘要

本发明提供一种制造具有预先施加的底部填料的半导体的方法，包括：(a)提供在有源面上具有多个金属凸块的减薄的硅半导体晶片，任选地，硅通孔垂直穿过所述硅半导体晶片；(b)在切割支撑胶带上提供底部填料，其中所述底部填料被预先切割为所述半导体晶片的形状；(c)将所述切割支撑胶带上的底部填料与所述半导体晶片对齐布置，并将所述底部填料层合至所述半导体晶片。

主权项

制造用于切割的具有施加的底部填料的减薄的半导体晶片的方法，包括：(a)提供在有源面上具有多个金属凸块的减薄的硅半导体晶片，并且任选地，硅通孔垂直穿过所述硅半导体晶片；(b)在切割支撑胶带上提供底部填料，其中所述底部填料被预先切割为所述半导体晶片的形状；(c)将所述切割支撑胶带上的所述底部填料与所述半导体晶片对齐布置，并且将所述底部填料层合至所述半导体晶片。