| 发明名称 | 像素单元及其制造方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种像素单元，至少包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管至少包括栅极、源极和漏极，所述像素电极通过过孔与所述漏极电连接，且所述过孔的上端面与所述像素电极相连接，所述过孔的下端面与所述漏极相连接，其中，所述过孔为阶梯孔，且所述过孔的上端面的面积大于所述过孔的下端面的面积。本发明还提供上述像素单元的制造方法、一种包括所述像素单元的阵列基板和一种包括该阵列基板的显示装置。本发明所提供的薄膜晶体管的像素电极不容易断裂。 | ||
| 申请公布号 | CN103456740A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201310370056.1 | 申请日期 | 2013.08.22 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孔祥永;王东方;成军;孙宏达 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种像素单元，至少包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管至少包括栅极、源极和漏极，所述像素电极通过过孔与所述漏极电连接，且所述过孔的上端面与所述像素电极相连接，所述过孔的下端面与所述漏极相连接，其特征在于，所述过孔为阶梯孔，且所述过孔的上端面的面积大于所述过孔的下端面的面积。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||