用于减少半导体封装件的拉应力的方法与设备

摘要

本发明提供一种具有已减少拉应力的半导体封装件。该半导体封装件包含封装衬底与半导体管芯。该半导体管芯电性与物理地耦合至该封装衬底且包含并入其中的应力释放层。该应力释放层具有用于减少在加热与冷却该半导体封装件期间的该半导体封装件的拉应力的预先决定的结构与在该半导体管芯内的预先决定的位置。

主权项

一种半导体封装件，包括：封装衬底；以及半导体管芯，电性与物理地耦合至该封装衬底，其中，该半导体管芯包含并入其中的应力释放层，该应力释放层具有用于减少该半导体封装件的拉应力的预先决定的结构与在该半导体管芯内的预先决定的位置，其中，该半导体管芯包含具有第一侧边的第一侧边部分，该第一侧边物理地附接至该封装衬底，其中，该应力释放层具有回应该预先决定的结构而决定的第一热膨胀系数CTE，该应力释放层的第一热膨胀系数CTE不同于该半导体管芯的第一侧边部分的管芯部分热膨胀系数CTE，且该应力释放层的第一热膨胀系数CTE界定在用于减少在加热与冷却该半导体封装件期间的该半导体封装件的拉应力的预先决定的热膨胀系数CTE范围内，且其中，该应力释放层的预先决定的位置位于邻近相对该第一侧边的该半导体管芯的第二侧边，其中，该半导体管芯具有硅衬底，以及其中，该应力释放层是形成在该硅衬底内的层。