发明名称 | 一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件,硅基片衬底为n型单面抛光的单晶硅基片,硅基片衬底的上面依次设置有多孔硅层、氧化钨薄膜和铜薄膜,铜薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型可在室温工作,且对超低浓度(ppb级)的氮氧化物气体具有很高的选择性,可以实现高灵敏度的可逆快速探测;其体积小巧、使用方便,重复性强,有望在氮氧化物气体传感器领域获得推广应用。 | ||
申请公布号 | CN203350214U | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
申请号 | CN201320444473.1 | 申请日期 | 2013.07.24 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 胡明;李明达;曾鹏;马双云;闫文君 |
分类号 | G01N27/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/00(2006.01)I |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 张宏祥 |
主权项 | 一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件,包括硅基片衬底、多孔硅层和铂电极,其特征在于,所述硅基片衬底(1)为n型单晶硅基片,硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅层(2),多孔硅层(2)上表面设置有氧化钨薄膜(3),氧化钨薄膜(3)的上面设置有铜薄膜(4),铜薄膜(4)的上表面设置有铂电极正极(5)和铂电极负极(6)。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |