| 发明名称 | 增强式高电子移动率晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种增强式高电子移动率晶体管及其制造方法，其包括：一缓冲层，磊晶于一基板上；一源级及漏极，形成于该缓冲层上；多个P-N接面，其是由多层堆栈的P-N接面形成于该缓冲层上、及该源级与漏极之间；及一栅极，形成于该P-N接面的堆栈上；其中该P-N接面由一P型及一N型半导体层所构成。本发明的增强式高电子移动率晶体管及其制造方法，可改善现有技术的深凹陷式栅极结构或四氟化碳等离子处理方式制作增强式氮化镓晶体管效能不佳的问题。并大幅提高增强式高电子移动率晶体管的临限电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102376760B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201010265787.6 | 申请日期 | 2010.08.25 |
| 申请人 | 财团法人交大思源基金会 | 发明人 | 张翼;张嘉华;林岳钦 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;鲍俊萍 |
| 主权项 | 一种增强式高电子移动率晶体管，其特征在于，包括：一缓冲层，磊晶于一基板上，该缓冲层的结构由上而下依序为氮化镓/氮化镓铝/氮化铝/氮化镓/氮化铝；一源极及一漏极，形成于该缓冲层上；多个P‑N接面，其由多层堆栈的P‑N接面形成于该缓冲层上、及该源极与漏极之间，且所述堆栈从上至下以PN的顺序排列；及一栅极，形成于该P‑N接面的堆栈上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||