发明名称 PHOTOMASK MANUFACTURING METHOD, PATTERN TRANSFER METHOD, AND DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD
摘要 <p>피가공체에 미세한 피치 폭의 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성하는 경우라도, 추가 투자를 거의 필요로 하지 않고 패터닝을 행한다. 피가공체를 에칭할 때의 에칭 조건에 기초하는 사이드 에칭 폭 α를 설정한다. 막 패턴의 라인 폭 W, 스페이스 폭 W의 각각과, 사이드 에칭 폭 α에 기초하여, 레지스트 패턴의 라인 폭 R과 스페이스 폭 R를 설정한다. 결정된 라인 폭 R과 스페이스 폭 R를 갖는 레지스트 패턴에 기초하여, 노광 시의 노광 조건, 및 전사용 패턴의 라인 폭 M과 스페이스 폭 M를 결정한다. 또한, 전사용 패턴의 라인 폭 M은 결정된 라인 폭 R과 상이하고, 전사용 패턴의 스페이스 폭 M는 결정된 스페이스 폭 R와 상이하다.</p>
申请公布号 KR101343256(B1) 申请公布日期 2013.12.18
申请号 KR20120029266 申请日期 2012.03.22
申请人 发明人
分类号 G03F1/68;G03F1/78 主分类号 G03F1/68
代理机构 代理人
主权项
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