发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
提供了一种太阳能电池以及其制造方法,更具体地说,用于使用干法等离子体蚀刻同时形成选择性发射极结构和表面织构化的太阳能电池、及其制造方法。所述太阳能电池包含硅半导体基板;具有表面的发射极掺杂层,所述表面是通过织构化工艺对所述硅半导体基板的上部进行织构化并选择性掺杂的;在所述基板的正面上形成的抗反射膜层;通过穿透所述抗反射膜层接触所述发射极掺杂层的正面电极;以及接触所述硅半导体基板背面的背面电极。 |
申请公布号 |
CN103460398A |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201280015781.0 |
申请日期 |
2012.02.23 |
申请人 |
韩华石油化学株式会社 |
发明人 |
玄德焕;赵在亿;李东昊;柳贤澈;李龙和;金刚逸;安贵龙 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;董文国 |
主权项 |
一种太阳能电池,其包含:硅半导体基板;具有表面的发射极掺杂层,所述表面是通过织构化工艺对所述硅半导体基板的上部进行织构化并且进行选择性掺杂的;在所述基板的正面上形成的抗反射膜层;通过穿透所述抗反射膜层接触所述发射极掺杂层的正面电极;以及接触所述硅半导体基板背面的背面电极。 |
地址 |
韩国首尔 |