| 发明名称 | 化学机械研磨工艺的返工方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械研磨工艺的返工方法，所述化学机械研磨工艺的返工方法包括：提供化学机械研磨设备，所述化学机械研磨设备包括第一研磨平台、第二研磨平台以及第三研磨平台，所述第三研磨平台上设置有第一晶片，所述第二研磨平台上方设置有第二晶片，所述第一研磨平台上方设置有第三晶片；向所述第一晶片的表面喷洒研磨液以去除第一晶片表面的缺陷，同时，分别向第二晶片和第三晶片的表面喷吹气体或去离子水。本发明可防止第二研磨平台和第一研磨平台上等待的晶片被污染，提高了半导体器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102371532B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201010261562.3 | 申请日期 | 2010.08.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓武锋;刘俊良 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;B24B37/27(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨工艺的返工方法，包括：提供化学机械研磨设备，所述化学机械研磨设备包括第一研磨平台、第二研磨平台以及第三研磨平台，所述第三研磨平台上设置有第一晶片，所述第二研磨平台上方设置有第二晶片，所述第一研磨平台上方设置有第三晶片；向所述第一晶片的表面喷洒研磨液以去除所述第一晶片表面的缺陷，同时，分别向所述第二晶片和第三晶片的表面喷吹气体或去离子水；将所述第一晶片移出化学机械研磨设备；同时，将所述第二晶片传送至第三研磨平台并向第二晶片的表面喷洒研磨液以去除第二晶片表面的缺陷；同时，将所述第三晶片传送至第二研磨平台并向第三晶片的表面喷吹气体或去离子水。 | ||
| 地址 | 100176 北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||