高压LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高压LDMOS器件的制造方法，包括如下步骤：第1步，在衬底上采用光刻和离子注入工艺形成一个与衬底的掺杂类型相反的漂移区。第2步，在硅片表面制造隔离结构。第3步，在衬底和漂移区采用光刻和离子注入工艺形成与衬底的掺杂类型相同的体区和漂移区反型层。第4步，在硅片表面生长栅氧化层和多晶硅，刻蚀该层多晶硅从而形成多晶硅栅极和漏端多晶硅场板。第5步，在体区和漂移区中进行重掺杂离子注入形成体电极引出端、源区引出端和漏区引出端；再在硅片表面淀积一层介电层、在介质层上形成接触孔、在各接触孔中形成金属电极。本发明在保证高压LDMOS器件的性能的前提下，减少了工艺步骤、降低了制造成本，并可在BCD工艺平台的集成。

主权项

一种高压LDMOS器件的制造方法，包括如下步骤：第1步，在衬底上采用光刻和离子注入工艺形成一个与衬底的掺杂类型相反的离子注入区，作为高压LDMOS器件的漂移区；其特征是，在第1步之后还包括如下步骤：第2步，在硅片表面制造隔离结构；第3步，在衬底和漂移区上采用光刻和离子注入工艺形成与衬底的掺杂类型相同的体区和漂移区反型层，该步骤中的光刻工艺采用同一块掩膜版，该步骤中的离子注入工艺采用多次离子注入的方式；第4步，在硅片表面先生长一层栅氧化层，再淀积一层多晶硅，刻蚀该层多晶硅从而形成跨越所述体区和隔离结构之上的多晶硅栅极、以及隔离结构之上的漏端多晶硅场板；第5步，先在体区和漂移区中进行重掺杂离子注入形成体电极引出端、源区引出端和漏区引出端；再在硅片表面淀积一层介质层，在介质层上形成接触孔，在各接触孔中形成金属电极。