一种驱动芯片保护电路

摘要

本实用新型涉及一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地，二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU，二极管D1的负极经稳压管ZD1接地；二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地，当场效应管Q1击穿损坏时，场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU加到稳压管ZD2的阴极，使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU迅速熔断，使高压不至于加到驱动芯片U1的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏。

主权项

一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，其特征在于：所述二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；所述二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地。