| 发明名称 | 用于中介片的电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN103456601A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201210425190.2 | 申请日期 | 2012.10.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张俊华;叶德强;郑光伟;刘源鸿;侯上勇;邱文智;郑心圃 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成器件的方法，所述方法包括：形成从所述衬底的表面延伸到所述衬底中的通孔；形成位于所述衬底的表面上方的第一绝缘层；在所述第一绝缘层中形成第一金属层，所述第一金属层与所述通孔电连接；形成位于所述第一金属层上方的电容器，其中，所述电容器包括位于所述第一金属层上方的第一电容器介电层和位于所述第一电容器介电层上方的第二电容器介电层；以及形成位于所述电容器上方并与所述电容器电连接的第二金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||