基于调制掺杂的GaN肖特基二极管

摘要

本实用新型公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本实用新型包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN层；N-型GaN层的掺杂浓度从N+型GaN层的界面处开始非均匀分布；在N+型GaN层上生长欧姆接触电极；在N-型GaN层上生长有肖特基接触电极。本实用新型利用调制掺杂方式在N+型GaN层上生长N-型GaN层，提高了GaN材料的迁移率，改善了材料中电子浓度分布，减小了二极管的肖特基结电容，提高了其工作频率，进而提高了毫米波和太赫兹范围内倍频电路的工作频率和输出功率；通过控制调制掺杂可以有效控制肖特基二极管的变容比，提高器件的Q值。

主权项

一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层（101）、在所述衬底层（101）上生长的高掺杂的N+型GaN层（102），以及在所述N+型GaN层（102）上采用调制掺杂生长的N‑型GaN层（103），N‑型GaN层（103）的掺杂浓度从N+型GaN层（102）的界面处开始为非均匀分布；在所述的N+型GaN层（102）上生长欧姆接触电极（104）；在所述的N‑型GaN层（103）上生长有肖特基接触电极（105）。