低压LDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种低压LDMOS的制造方法，采用两次生长栅氧化层，第一次生长厚氧化层，然后打开长度小于沟道长度的窗口，再生长一层薄氧化层，最后刻蚀后使栅氧化层呈现中间薄两头厚的形状，来调节器件的阈值电压，采用该方法的LDMOS在获得高击穿电压的同时又不会使阈值电压降低。

主权项

一种低压LDMOS的制造方法，其特征在于：包含如下步骤：第1步，在轻掺杂的P型衬底上进行P阱注入，然后生长第一栅氧化层；第2步，光刻打开第一栅氧化层的窗口；第3步，在打开的窗口内生长第二栅氧化层；第4步，在整个器件表面淀积多晶硅；第5步，刻蚀掉沟道两侧多晶硅及第一栅氧化层，形成栅极结构；第6步，进行轻掺杂源漏注入，且轻掺杂漏区的注入能量高于轻掺杂源区，形成不对称的结构；第7步，生长栅极侧墙；第8步，进行源漏注入，器件完成。