半导体器件及形成半导体器件的图案的方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。

主权项

一种半导体器件，包括在基板上器件区的中心部分沿第一方向彼此平行地延伸并彼此分隔开的多个线图案，其中所述中心部分与所述器件区的在所述中心部分外部的第一侧分离，其中所述多个线图案包括：多个第一线图案，从所述多个线图案中沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔地选出，并且每个第一线图案具有靠近所述第一侧的第一端；多个第二线图案，从所述多个线图案中沿所述第二方向间隔地选出，每个第二线图案具有靠近所述第一侧的第二端；在所述器件区的中心部分中的多个第三线图案，该多个第三线图案在所述第一方向上分别以第三距离与从所述多个第一线图案中选出的一些第一线图案分隔开，从而分别邻近所选的第一线图案；和在所述器件区的中心部分中的多个第四线图案，该多个第四线图案在所述第一方向上分别以第四距离与从所述多个第二线图案中选出的一些第二线图案分隔开，从而分别邻近所选的第二线图案，其中所述第一线图案与所述第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离所述第一侧，以及其中所述器件区的所述中心部分包括非图案区，该非图案区沿所述第一方向延伸的长度大于所述多个线图案中的每个在第二方向上的宽度，在该非图案区中不形成所述线图案；和所述非图案区在所述第一方向上的宽度由每个所选的第一线图案及相对应的一个第三线图案来限定，并由每个所选的第二线图案及相对应的一个第四线图案来限定，所述非图案区在所述第二方向上的宽度由从所述多个线图案中选出的两个线图案来限定。