发明名称 磁场角度传感器和传感方法
摘要 提出了一种磁阻传感器和感测方法,其中将外部磁场发生器用于提供第一模式,在所述第一模式中沿预定方向提供dc外部磁场,并且所述dc外部磁场相对于输入装置产生的待感测磁场是主导的。在第二模式中,所述外部磁场较小。对来自两种模式的角度传感器装置输出进行组合,并且这使得能够利用偏移电压补偿来确定输入装置的角度取向。
申请公布号 CN102192703B 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201110035118.4 申请日期 2011.01.30
申请人 NXP股份有限公司 发明人 维克托·泽尔恩;罗伯特·H·M·范费尔德温
分类号 G01B7/30(2006.01)I 主分类号 G01B7/30(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种磁阻角度传感器,包括:角度传感器装置(150);输入装置(154),所述输入装置的角度取向被感测,并且所述输入装置包括磁场(HA)发生器;外部磁场(Hx,T;Hy,T;Hxy,T;Hyx,T)发生器(152);控制装置(156),用于控制所述外部磁场发生器;以及处理装置(158),用于处理角度传感器装置输出,其中所述控制装置适于控制所述外部磁场发生器以提供第一模式和第二模式,在所述第一模式中,沿预定的方向提供dc外部磁场,并且dc外部磁场相对于输入装置产生的磁场是主导的,在所述第二模式中,所述外部磁场较小,并且其中所述处理装置适于对来自两种模式的角度传感器装置输出进行组合,并且利用偏移电压补偿来确定输入装置角度取向。
地址 荷兰艾恩德霍芬