| 发明名称 | 用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法，包括以下步骤：第一步，将样品倒置，放入质量百分比为49%的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟；在浸泡的同时，每30秒用去离子水冲洗之后，再用氮气枪吹一下样品表面；第二步，如N型MOS管失效，将样品在第一混酸中浸泡5～8秒；如P型MOS管失效，将样品在第二混酸中浸泡30～35秒；第三步，确认腐蚀结果，找出具体的失效模式。本发明针对不同的MOS管，使用不同的混酸来有效、清楚地显现AA结构上的缺陷，能够提高失效分析结果的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN103456618A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201210169502.8 | 申请日期 | 2012.05.28 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐伟;蔡妮妮;方昭蒂;潘永吉 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将样品倒置，放入质量百分比为49％的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟；在浸泡的同时，每30秒用去离子水冲洗之后，再用氮气枪吹一下样品表面；第二步，如N型MOS管失效，将样品在第一混酸中浸泡5～8秒；如P型MOS管失效，将样品在第二混酸中浸泡30～35秒；第三步，确认腐蚀结果，找出具体的失效模式。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||