| 发明名称 | 半导体盲孔的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体基底；形成多个暴露出导电区的盲孔，其特征在于电阻率大于导电区的高电阻层会位在至少一盲孔的部分或全部底部区域，且高电阻层和导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满多个盲孔;进行一热处理工艺，使导电材料和半导体基底间形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有导电材料的多个盲孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103456656A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201210174260.1 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种半导体盲孔的检测方法，其特征在于，包括：提供一包括导电区的半导体基底；形成多个暴露出所述导电区的盲孔，其特征在于电阻率大于所述导电区的高电阻层会位在至少一所述盲孔的部分或全部底部区域，且所述高电阻层和所述导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满所述多个盲孔;进行一热处理工艺，使所述导电材料和所述半导体基底间形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有所述导电材料的所述多个盲孔。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||