采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法

摘要

本发明公开了一种采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法；包括以下步骤：步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中：开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD；开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。本发明可以简单、有效的去除射频无源器件测试结构的寄生参数。

主权项

一种采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中：开路结构一只有顶层金属形成的PAD1；开路结构二包括顶层金属形成的PAD2和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数，将开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二的S参数分别转化成参数Yopen1、Yopen2、Ythrough1、Ythrough2；用Ythrough1‑Yopen1并将结果转化成ABCD矩阵，得到去除了待测器件顶层金属寄生参数的中间变量Y1；开路结构二和开路结构一、通路结构一相结合得到第一层金属和顶层金属连接处的寄生参数并将结果带到通路结构二中得到第一层金属器件引线的金属的寄生参数，从而去除上下两层金属的寄生参数。