发明名称 |
高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路 |
摘要 |
本实用新型涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路,其特征在于:包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5,电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N3的漏极,所述P1的漏极连接所述P1、P2和P3的栅极以及所述N1的漏极,所述N1的源极连接所述N3的源极和所述N4的漏极,所述N4的栅极连接所述N5的栅极和漏极以及所述P2的漏极,所述N2的栅极连接所述N3的栅极和漏极,所述N2、N4和N5的源极连接电源GND,所述P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。本实用新型的电路功耗极低,面积小,电源抑制比高。 |
申请公布号 |
CN203350760U |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201320290976.8 |
申请日期 |
2013.05.24 |
申请人 |
福州大学 |
发明人 |
胡炜;许育森;黄继伟;黄凤英;林安;安奇 |
分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种高电源抑制比、低功耗基准电流产生电路,其特征在于:包括PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3以及NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4和NMOS管N5,电源VDD连接所述NMOS管N1的栅极、所述PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3的源极以及所述NMOS管N2和NMOS管N3的漏极,所述PMOS管P1的漏极连接所述PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3的栅极以及所述NMOS管N1的漏极,所述NMOS管N1的源极连接所述NMOS管N3的源极和所述NMOS管N4的漏极,所述NMOS管N4的栅极连接所述NMOS管N5的栅极和漏极以及所述PMOS管P2的漏极,所述NMOS管N2的栅极连接所述NMOS管N3的栅极和漏极,所述NMOS管N2、NMOS管N4和NMOS管N5的源极连接电源GND,所述PMOS管P3的漏极作为所述基准电流产生电路的输出端。 |
地址 |
350002 福建省福州市铜盘路软件大道89号软件园A区31号楼五层 |