发明名称 PLASMA ETCHING APPARATUS AND SYSTEM FOR PROCESSING A SUBSTRATE INCLUDING THE SAME
摘要 <p>플라즈마 식각 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 배치되며, 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 에너지가 인가되며 기판을 지지하는 스테이지, 스테이지를 감싸며 기판의 주변부에 대응되는 제1 전극, 스테이지에 대향하여 전기적 절연성을 갖는 상부 절연체, 유체 통로를 형성하기 위하여 상부 절연체와 이격된 상태에서 상부 절연체의 상부에 배치된 제2 전극 및 공정 챔버 내부에 배치되며, 기판을 냉각시키기 위한 냉각 유닛을 포함한다. 따라서, 냉각 공정 및 기판 주변부에 잔류하는 이물질을 제거 공정을 동일 공정 챔버 내에서 수행할 있다.</p>
申请公布号 KR101342991(B1) 申请公布日期 2013.12.18
申请号 KR20070022923 申请日期 2007.03.08
申请人 发明人
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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