| 发明名称 | 接触孔硅凹槽蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种接触孔硅凹槽蚀刻方法，包括下列步骤：提供以光刻胶为掩膜，蚀刻层间介质形成接触孔的圆片；去除所述光刻胶；以层间介质表面的氧化层作为掩膜，进行接触孔硅凹槽蚀刻。本发明通过将光刻胶去除后采用ILD表面的氧化层作为硬掩膜进行接触孔硅凹槽蚀刻，相对于使用光刻胶作为掩膜的传统技术，可以获得更好的接触孔硅凹槽形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN103456676A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201210178248.8 | 申请日期 | 2012.05.31 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 丁佳 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种接触孔硅凹槽蚀刻方法，包括下列步骤：提供以光刻胶为掩膜，蚀刻层间介质形成接触孔的圆片；去除所述光刻胶；以层间介质表面的氧化层作为掩膜，进行接触孔硅凹槽蚀刻。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||