发明名称 | 多晶压力传感器芯片及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种多晶压力传感器芯片。该多晶压力传感器芯片内部设置有压力传感器电路,以及与所述压力传感器电路电性连接以补偿因温度变化而导致的电压漂移的补偿元件。本发明还提供该芯片的制备方法。本发明所述的压力传感器芯片内部设置有补偿因温度变化而导致的电压漂移的补偿元件,使得该芯片的补偿能力较佳。 | ||
申请公布号 | CN103454033A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
申请号 | CN201210177498.X | 申请日期 | 2012.06.01 |
申请人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发明人 | 陈思奇;朱琳;王荣华 |
分类号 | G01L9/06(2006.01)I;G01L19/04(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/06(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杜娟娟;王忠忠 |
主权项 | 一种多晶压力传感器芯片,其特征在于,所述芯片内部设置有压力传感器电路,以及与所述压力传感器电路电性连接以补偿因温度变化而导致的电压漂移的补偿元件。 | ||
地址 | 214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 |