| 发明名称 | 集成电路装置及形成集成电路装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供集成电路装置及形成集成电路装置的方法，所述装置包含第一导电性的半导体基材，其中此半导体基材包含第一表面和相对于第一表面的第二表面。穿透基材介层窗由此半导体基材的第一表面延伸到第二表面。具有相对于第一导电性的第二导电性的一井区围绕此穿透基材介层窗，且由半导体基材的第一表面延伸至第二表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102403366B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201110082303.9 | 申请日期 | 2011.03.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 颜孝璁;胡宪斌;郭晋玮;刘莎莉 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种集成电路装置，其特征在于，包含：一第一导电性的一半导体基材，其中该半导体基材包含一第一表面和相对于该第一表面的一第二表面；一穿透基材介层窗，由该半导体基材的该第一表面延伸至该第二表面；一隔离层，围绕该穿透基材介层窗；以及一第二导电性的一井区围绕该穿透基材介层窗，该第二导电性相对于该第一导电性，其中该井区由该半导体基材的该第一表面延伸至该第二表面，其中该井区围绕并接触该隔离层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||