多晶硅板表面毛糙化的方法

摘要

本发明提供了一种多晶硅板表面毛糙化的方法，采用电化学方法腐蚀多晶硅，首先将多晶硅片放在腐蚀槽内，使多晶硅片接上电源正极作为阳极，使贵金属接上电源负极作为阴极，在外加电场的作用下使多晶硅表面生成空穴，然后在HF-C2H5OH系统中进行化学腐蚀，通过调节氢氟酸和无水乙醇的配比、腐蚀时间、电流密度等工艺因素，获得优化深宽比的微裂纹毛糙面，通过增加入射光在硅片表面的反射次数，从而降低入射光的反射率，增强可见光的吸收，有利于提高太阳电池的转换效率。此外，本发明电化学腐蚀法还减少了氢氟酸的使用量，腐蚀液可以循环使用，从而大大降低了太阳能电池的生产成本。

主权项

一种多晶硅板表面毛糙化的方法，包括如下步骤： 清洗多晶硅片及阴极片； 将氢氟酸和无水乙醇按照体积比为1：1~2混合，配制腐蚀电解液； 在所述腐蚀电解液中建立工作电极、惰性电极和参比电极，所述工作电极为所述多晶硅片，且与电源正极电连接，所述惰性电极为所述阴极片，且与电源负极电连接，开启电源后进行电化学腐蚀反应；其中，所述电化学腐蚀反应的电流密度为10~40mA/cm2，反应时间为40~120s； 将经电化学腐蚀反应后的所述多晶硅片清洗、干燥。