| 发明名称 | 相变存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 相变存储器件包括相变存储单元和热沉（heat sink）。相变存储单元包括：相变材料层图样；被配置为加热该相变材料层图样的、在该相变材料层图样之下的下电极；及在该相变材料层图样之上的上电极。热沉被配置为从相变存储单元吸收热量。热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN103456882A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201310200031.7 | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴台镇;宋胤宗;郑七熙 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 一种相变存储器件，包括：相变存储单元，包括：相变材料层图样；在相变材料层图样之下的下电极，该下电极被配置为加热相变材料层图样；及在相变材料层图样之上的上电极；及被配置为从相变存储单元吸收热量的热沉，该热沉具有低于上电极的顶面的顶面，并且与相变存储单元空间隔开。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||