具多个导电介入层的N型氮化镓层

摘要

一种竖直的基于GaN的蓝光LED，具有n型层，n型层包括多个导电介入层。n型层包括多个周期。n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层及薄导电的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层。在一个范例中，每一氮化镓子层的厚度基本超过100nm且小于1000nm，并且每一氮化镓铝介入子层的厚度小于25nm。整个n型层的厚度为至少2000nm。氮化镓铝介入子层对氮化镓子层提供压缩应变，从而避免破裂。在形成LED的外延层后，导电载体晶圆接合至该结构。然后去除硅基板。加入电极，并将该结构切割以形成完成的LED装置。因为氮化镓铝介入子层是导电的，所以整个n型层可保留作为完成的LED装置的一部分。

主权项

一种发光二极管(LED)装置的制造方法，包括：(a)在硅基板之上形成n型层，其中所述n型层包括多个周期，所述n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层以及掺杂硅的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层；(b)在所述n型层之上形成有源层，其中所述有源层包含一定量的铟；以及(c)在所述有源层之上形成p型层，使得所述硅基板、所述n型层、所述有源层以及所述p型层形成第一结构。