| 发明名称 | 薄膜晶体管及显示装置 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上且与其接触的其载流子迁移率低于所述第一半导体层的载流子迁移率的第二半导体层；设置在所述栅电极层和所述第一半导体层之间且与其接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层地设置的第一杂质半导体层；其一部分接触于所述第一杂质半导体层和所述第一及第二半导体层地设置的第二杂质半导体层；以及接触于所述第二杂质半导体层的整个面地设置的源电极及漏电极层，其中，第一半导体层的栅电极层一侧的整个面重叠于所述栅电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101752427B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN200910254152.3 | 申请日期 | 2009.12.10 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 乡户宏充;小林聪 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上且与所述第一半导体层接触的第二半导体层，所述第二半导体层的载流子迁移率低于所述第一半导体层的载流子迁移率；设置在所述栅电极层和所述第一半导体层之间且与所述栅电极层和所述第一半导体层接触的栅极绝缘层；直接接触于所述第一半导体层的侧面及所述第二半导体层的侧面地设置的一对杂质半导体层；设置在所述杂质半导体层中的一方上且与所述杂质半导体层中的所述一方接触的源电极；以及设置在所述杂质半导体层中的另一方上且与所述杂质半导体层中的所述另一方接触的漏电极，其中，所述第一半导体层的所述栅电极层一侧的整个面重叠于所述栅电极层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||