LIGHT EMITTING DIODE FOR EMITTING ULTRAVIOLET

摘要

본 발명의 일실시예에 따르면, n형 반도체층;과 상기 n형 반도체층 상부에 배치되는 활성층;과 상기 활성층 상부에 배치되며, p형 AlGaN으로 이루어지는 p형 반도체층; 및 상기 p형 반도체층 상부에 배치되며, p형 도펀트가 도핑된 그래핀으로 이루어지는 p형 그래핀층;을 포함함으로써, p형 반도체층과의 접촉저항을 최소화하면서도, 자외선 투과율을 최대화하여 발광 효율을 향상 수 있는 자외선 발광소자를 제공한다.