| 摘要 |
Es wird ein Schaltkreis (302) bereitgestellt, der Folgendes enthält: einen ersten Stromversorgungsanschluss (304), der mit einem ersten Metalloxidhalbleitertransistor von p-Typ (306) verbunden ist; einen zweiten Stromversorgungsanschluss (308), der mit einem zweiten Metalloxidhalbleitertransistor vom p-Typ (312) verbunden ist; einen Ausgangsknoten, der zwischen dem ersten Metalloxidhalbleitertransistor vom p-Typ (306) und dem zweiten Metalloxidhalbleitertransistor vom p-Typ (312) verbunden ist; und einen Entscheidungsschaltkreis (316), der mit dem ersten Stromversorgungsanschluss (304) und dem zweiten Stromversorgungsanschluss (308) verbunden ist, wobei der Entscheidungsschaltkreis (316) durch den Ausgangsknoten bestromt wird und wobei Gate-Anschlüsse (318, 322) des ersten Metalloxidhalbleitertransistors von p-Typ (306) und des zweiten Metalloxidhalbleitertransistors vom p-Typ (312) komplementär und aktiv durch den Entscheidungsschaltkreis (316) gesteuert werden. |
