Unabhängig spannungsgesteuertes Siliciumvolumen auf einem Silicium-auf-Isolator-Chip

摘要

Ein Halbleiterchip (100) weist eine unabhängig spannungsgesteuerte Siliciumzone (110) auf, welche ein Schaltungselement ist, das zum Steuern von Kondensatorwerten von eDRAM-Grabenkondensatoren (140) und Schwellenspannungen von Feldeffekttransistoren (130) geeignet ist, welche über der unabhängig spannungsgesteuerten Siliciumzone (110) liegen. Ein unterer Teil oder Boden der unabhängig spannungsgesteuerten Siliciumzone (110) ist eine tiefe Implantation (105) entgegengesetzter Dotierung, bezogen auf eine Dotierung eines Substrats der unabhängig spannungsgesteuerten Siliciumzone (110). Ein oberer Teil oder eine Decke der unabhängig spannungsgesteuerten Siliciumzone (110) ist eine Implantation eines vergrabenen Oxids (103) in dem Substrat. Seiten der unabhängig spannungsgesteuerten Siliciumzone sind eine Tiefgrabenisolierung (106). Die Spannung der unabhängig spannungsgesteuerten Siliciumzone (110) wird durch eine Kontaktstruktur (107) angelegt, die durch das vergrabene Oxid (103) hindurch ausgebildet ist.