Die vorliegende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen zum Herstellen einer FinFET-Vorrichtung bereit, die eine oder mehrere Verbesserungen gegenüber dem Stand der Technik liefert In einer Ausführungsform weist ein Verfahren zum Herstellen eines FinFET Bereitstellen eines Halbleitersubstrats und einer Vielzahl von Scheingraten und aktiven Graten auf dem Halbleitersubstrat auf. Eine vorbestimmte Gruppe von Scheingraten wird entfernt.
