多层电路基板及半导体装置

摘要

本发明之多层电路基板系由复数组的导体电路层与绝缘层所形成，为不包含具有藉由引洞(via)连接而导通连接之穿孔的核基板之单面积层之多层电路基板，其特征系前述绝缘层的玻璃移转温度为170℃以上，玻璃移转温度以下的线膨胀系数为35ppm以下，弹性模数为5GPa以上。