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发明名称
高光取出率的发光二极体晶片及其制造方法
摘要
本发明主要是高光取出率的发光二极体晶片,包含一层基材、一层以光电效应产生光的磊晶膜、一层夹设在基材与磊晶膜之间的透明折射层,及一组对该磊晶膜提供电能的电极单元,特别的是,磊晶膜的底面及顶面经过粗化而具有大于100nm以上的粗糙度,使得磊晶膜产生的光因底、顶面的粗化而可有效的被提出,同时,藉着不大于5μm的透明折射层成为磊晶膜与基材间的介质’而可更有效地将光反射并再度向出光面方向行进射出,进而提升整体的光取出率、增强发光亮度。本发明并提供二种高光取出率的发光二极体晶片的制造方法。
申请公布号
TWI419355
申请公布日期
2013.12.11
申请号
TW096135297
申请日期
2007.09.21
申请人
国立中兴大学 台中市南区国光路250号;东芝技术中心股份有限公司 日本
发明人
洪瑞华;武东星;黄少华;谢创宇;林朝坤
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
日本
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