交错式记忆体阵列装置

摘要

本发明提供交错式记忆体阵列装置具有CBRAM与RRAM堆叠。上述交错式记忆体阵列装置包括一第一组实质上相互平行的导线，一第二组实质上相互平行的导线，其位向实质上垂直于该第一组相互平行的导线，以及多个记忆体堆叠所构成的一阵列，设置于该第一组相互平行的导线与该第二组相互平行的导线的交错位置，其中各个记忆体堆叠包括一导电桥接式记忆体构件与一电阻开关式记忆体构件相串联。