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发明名称
形成积体电路之方法及最终之结构
摘要
本发明揭示用于在不具有电路之一受体基板上制造积体电路装置之方法。藉由在一受体基板上依序设置一个或多个半导体材料层级且在设置一下一较高层级之前在每一半导体材料层级上制造电路来形成积体电路装置。在囊封电路之后,移除该受体基板且单个化半导体晶粒。本发明亦揭示藉由该等方法形成之积体电路装置。
申请公布号
TWI419260
申请公布日期
2013.12.11
申请号
TW099105333
申请日期
2010.02.24
申请人
美光科技公司 美国
发明人
珊得胡 高提杰S;帕拉特 奎许纳K
分类号
H01L21/77;H01L27/04
主分类号
H01L21/77
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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