发明名称 单晶矽拉晶用氧化矽玻璃坩埚及其制造方法
摘要 一种单晶矽拉晶的高温下抑制沉入现象的氧化矽玻璃坩埚及其制造方法。氧化矽玻璃坩埚具有:坩埚外表面侧含有多个气泡的不透明氧化矽玻璃层,以及坩埚内表面侧的透明氧化矽玻璃层,。不透明氧化矽玻璃层包括坩埚上部的第一不透明氧化矽玻璃部分和坩埚下部的第二不透明氧化矽玻璃部分。第二不透明氧化矽玻璃部分比重是1.7~2.1,第一不透明氧化矽玻璃部分比重是1.4~1.8,第一不透明氧化矽玻璃部分比重小于第二不透明氧化矽玻璃部分比重。第一不透明氧化矽玻璃部分相较于第二不透明氧化矽玻璃部分,原料氧化矽粉的粒度分布广,且含有更多微粉。
申请公布号 TWI418669 申请公布日期 2013.12.11
申请号 TW099130206 申请日期 2010.09.07
申请人 日本超精石英股份有限公司 日本 发明人 小玉真喜子;神田稔;岸弘史
分类号 C30B15/10;C03B20/00;C30B29/06 主分类号 C30B15/10
代理机构 代理人 刘育志 台北市大安区敦化南路2段77号19楼
主权项
地址 日本