发明名称 主动层堆叠结构及其制造方法及其应用
摘要 一种主动层堆叠结构,此结构包括多层氧化物半导体层,这些氧化物半导体层由相同的多个组分所构成,但各氧化物半导体层之组分比不同。
申请公布号 TWI419328 申请公布日期 2013.12.11
申请号 TW098119723 申请日期 2009.06.12
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 颜精一;姚晓强;洪楚茵
分类号 H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号