发明名称 |
主动层堆叠结构及其制造方法及其应用 |
摘要 |
一种主动层堆叠结构,此结构包括多层氧化物半导体层,这些氧化物半导体层由相同的多个组分所构成,但各氧化物半导体层之组分比不同。 |
申请公布号 |
TWI419328 |
申请公布日期 |
2013.12.11 |
申请号 |
TW098119723 |
申请日期 |
2009.06.12 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
颜精一;姚晓强;洪楚茵 |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/316;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |