三族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法

摘要

一种三族氮化物化合物半导体发光元件包含：第一层，其为三族氮化物化合物半导体的单晶层，第一层形成在缓冲层上并包括穿透差排；第二层，其为形成在第一层上的三族氮化物化合物半导体，第二层包括凹洞及平坦部分，其中凹洞延续自穿透差排，并具有剖面是平行于基板且在第二层成长方向上延展；发光层，其包括对应到第二层平坦部分及凹洞的平坦部分及凹洞。发光层凹洞的铟浓度小于发光层平坦部分的铟浓度。其发光谱宽度与不存在凹洞的状况比较起来是延展的。